碳化矽100問 | SiC MOSFET的閾值電壓竟然受反向電壓的影響
都說(shuo)SiC MOSFET的驅動電路難(nan)處理(li),除了柵(shan)極耐壓能(neng)力差之外,高溫(wen)還會使(shi)得(de)閾(yu)值電(dian)壓VGS(th)下(xia)降(jiang),增加橋臂短(duan)路的風(feng)險。你以為(wei)這(zhe)就結(jie)束(shu)了(le)麽(mo)?沒(mei)想(xiang)到吧,VGS(th)受(shou)到(dao)反向(xiang)電壓(ya)的影響,驚(jing)不驚喜?意(yi)不意外(wai)?